Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1221-Y(Q)

TRANS NPN 60V 3A PW MOLD

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SD1221

2SD1221-Y(Q) Hakkında

2SD1221-Y(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 1W maksimum güç yönetimi kapasitesine sahiptir. 100 minimum DC akım kazancı ve 3MHz transition frekansı ile düşük frekanslı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. Vce doyum voltajı maksimum 1V olup, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir. Endüstriyel kontrol, motor sürücü devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition 3MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package PW-MOLD
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok