Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD12110R
TRANS NPN 120V 0.5A TO-92L
2SD12110R Hakkında
2SD12110R, Panasonic tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-92L through-hole paketinde sunulmaktadır. 120V maksimum collector-emitter gerilimi ve 500mA maksimum collector akımı ile çalışabilen bu transistör, 1W güç harcaması kapasitesine sahiptir. 200MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. DC akım kazancı (hFE) minimum 130 değerinde olup, saturation modunda 1V Vce ile çalışır. Genel amaçlı anahtarlama, sinyal amplifikasyonu ve düşük güçlü kontrol devrelerinde uygulanır. Çalışma sıcaklığı 150°C'ye kadar çıkabilir. Not: Bu bileşen üretimi sonlandırılmış (obsolete) durumda olup, yeni tasarımlarda modern alternatifler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 130 @ 150mA, 10V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TO-92L-A1 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 30mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok