Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SD1207T-AE

TRANS NPN 50V 2A 3MP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-226-3
Seri / Aile Numarası
2SD1207T

2SD1207T-AE Hakkında

2SD1207T-AE, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Maksimum 50V Vce ve 2A kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 1W güç kapasitesi, 150MHz geçiş frekansı ve 100 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 2V) özellikleri vardır. TO-92 long body paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, sürücü uygulamaları ve sinyal amplifikasyonu gibi genel amaçlı komutasyon ve amplifikasyon görevlerinde uygun olarak tasarlanmıştır. Doyum gerilimi 400mV (@ 50mA, 1A) ve maksimum çalışma sıcaklığı 150°C'dir. Bileşen obsolete durumundadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TO-92 (TO-226)
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 50mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok