Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1207S-AE
BIPOLAR TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SD1207S
2SD1207S-AE Hakkında
2SD1207S-AE, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-92-3 long body paketinde sunulan bu komponent, 2A maksimum collector akımı, 100 @ 100mA/2V DC current gain ve 150MHz transition frequency özellikleriyle orta güç uygulamalarında kullanılır. 50V BVCEO ve 1W maksimum güç derecelendirmesi ile doğrusal amplifikasyon, anahtarlama ve sinyal işleme devreleri tasarımında yer alabilir. Through hole montaj tipi sayesinde geleneksel PCB lehimleme yöntemleriyle entegre edilebilir. 150°C işletme sıcaklığı desteği ile geniş sıcaklık aralığında çalışmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 150MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | 3-MP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 50mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok