Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD11990S
TRANS NPN 40V 0.05A M TYPE
2SD11990S Hakkında
2SD11990S, Panasonic tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 40V collector-emitter gerilimi ve 50mA maksimum collector akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 600 minimum DC current gain (hFE) ile güvenilir anahtarlama ve amplifikasyon sağlar. 120MHz transition frequency sayesinde orta-yüksek frekanslı devreler için kullanılabilir. 400mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum junction sıcaklığı ile endüstriyel ortamlarda çalışabilir. Through-hole montaj tipi ile geleneksel PCB tasarımlarına uyumludur. Ses amplifikatörleri, RF devreler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 600 @ 2mA, 10V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SIP |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 400 mW |
| Supplier Device Package | M-A1 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 1mA, 10mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok