Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1111-AA
2SD1111 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SD1111
2SD1111-AA Hakkında
2SD1111-AA, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial planar Darlington transistördür. 700mA kolektör akımı ve 50V bozulma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 200MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 5000 minimum DC akım kazancı (hFE) sayesinde düşük baz akımlarıyla kontrol edilebilir. 600mW maksimum güç dağıtımı, 150°C çalışma sıcaklığı ve 1.2V doyum gerilimi ile endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, sinyal anahtarlaması ve güç amplifikasyon uygulamalarına uygundur. TO-92-3 paket tipi sayesinde kolay baskı devre entegrasyonu sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 5000 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 600 mW |
| Supplier Device Package | 3-NP |
| Transistor Type | NPN - Darlington |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.2V @ 100µA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok