Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1060S-1E
TRANS NPN 50V 5A
2SD1060S-1E Hakkında
2SD1060S-1E, onsemi tarafından üretilen NPN türü bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-220-3 paketinde sunulmaktadır. 50V kolektör-emiter kırılma voltajı ve maksimum 5A kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 30MHz transition frequency ile işaret amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer alır. 140 minimum DC akım kazancı (hFE), 300mV doyum voltajı ve 100µA maksimum kolektör cutoff akımı özellikleriyle sahip olan bileşen, ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması ve genel amaçlı amplifikasyon uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok