Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SD1060R-1E
TRANS NPN 50V 5A
2SD1060R-1E Hakkında
2SD1060R-1E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-220-3 paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.75W güç dağıtabilmesi, 30MHz transition frequency'si ve 100 (minimum) DC current gain özelliği ile motor kontrol, anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri ve endüstriyel uygulamalarda tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilmektedir. Transistör obsolete statüsünde olup, yeni tasarımlarda alternatif seçim önerilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 30MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1.75 W |
| Supplier Device Package | TO-220-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 300mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok