Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SCRC41CHZGT116R

HIGH-VOLTAGE AMPLIFIER TRANSISTO

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SCRC41CH

2SCRC41CHZGT116R Hakkında

ROHM Semiconductor tarafından üretilen 2SCRC41CHZGT116R, yüksek voltaj amplifikasyon uygulamaları için tasarlanmış NPN bipolar jonksiyon transistörüdür. 120V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW maximum güç derecelendirmesi ile düşük sinyal seviyesi amplifikasyonu, switching devreleri ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 140MHz geçiş frekansı ve 180'den başlayan DC akım kazancı (hFE), hassas amplifikasyon gereken endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yer bulur. Surface mount SOT-23-3 paket tipinde sunulan bileşen, sıcaklık direnci ve stabil elektriksel karakteristikleriyle 150°C'ye kadar çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 50 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 180 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 140MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200 mW
Supplier Device Package SST3
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok