Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR587D3TL1
NPN, TO-252 (DPAK), 120V 3A, POW
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR587D3
2SCR587D3TL1 Hakkında
2SCR587D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 120V yüksek gerilim ve 3A kollektör akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 250MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştiren transistör, 10W maksimum güç dağıtım kapasitesine ve 120mV saturasyon gerilimi karakteristiğine sahiptir. DC akım kazancı (hFE) 100mA kollektör akımında 120 değerine ulaşır. Yüksek sıcaklık ortamlarında (150°C'ye kadar) çalışabilen bu transistör, switch modlu güç kaynakları, motor kontrol devreleri ve ses amplifikatörleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 3 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 250MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10 W |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 120 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok