Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR583D3TL1
NPN, TO-252 (DPAK), 50V 7A, POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR583D3
2SCR583D3TL1 Hakkında
2SCR583D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, TO-252 (DPAK) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 50V collector-emitter breakdown voltajı ve 7A maksimum collector akımı ile orta güçlü uygulamalar için tasarlanmıştır. 10W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ve 280MHz transition frekansıyla hızlı anahtarlama ve amplifikasyon işlemleri gerçekleştirebilir. 180 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 350mV doyum voltajı ile endüstriyel kontrol devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve darbe anahtarlama sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C çalışma sıcaklık aralığında çeşitli ortamlara uyum sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 7 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 3V |
| Frequency - Transition | 280MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 10 W |
| Supplier Device Package | TO-252 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 150mA, 3A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok