Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SCR572D3TL1

POWER TRANSISTOR WITH LOW VCE(SA

Paket/Kılıf
TO-252-3
Seri / Aile Numarası
2SCR572D3

2SCR572D3TL1 Hakkında

2SCR572D3TL1, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi güç transistörüdür. TO-252 (DPak) yüzey monte paketinde sunulan bu transistör, 5A maksimum collector akımı ve 30V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. VCE(sat) değeri 400mV'dir. 10W güç kapasitesi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığında 200'lük minimum DC current gain (hFE) sağlar. 300MHz transition frequency ile orta frekanslı uygulamalarda kullanılabilir. Düşük saturasyon voltajı sayesinde güç kaybını minimize eder ve anahtarlama uygulamalarında, motor kontrol devrelerinde, ses amplifikatörlerinde ve genel amaçlı güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 5 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 500mA, 3V
Frequency - Transition 300MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status Active
Power - Max 10 W
Supplier Device Package TO-252
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 2A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok