Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR553PHZGT100
NPN, SOT-89, 50V 2A, MEDIUM POWE
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR553
2SCR553PHZGT100 Hakkında
2SCR553PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). SOT-89 yüzey montaj paketi ile sunulan bu orta güç transistörü, maksimum 2A kollektör akımı ve 50V VCE(BR)DSS kırılma gerilimi ile çalışır. 360MHz transition frequency özelliği sayesinde orta frekanslı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. 500mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile güç yönetimi, darbe şekillendirme, sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama devrelerinde yer bulur. 180 (minimum) DC akım kazancı (hFE) ile uygun sürü direnci gerekliliğine sahiptir. -55°C ile +150°C (TJ) çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. 350mV doyma gerilimi (VCE(sat)) ve 1µA maksimum cutoff akımı ile iyi off-state karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 35mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok