Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR553P5T100
NPN 50V 2A MEDIUM POWER TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR553P5T100
2SCR553P5T100 Hakkında
2SCR553P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 2A maksimum kollektor akımı ile genel amaçlı anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılır. 360MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 500mW maksimum güç disipasyonu kapasitesi ile motor sürücüler, relay kontrolü, darbe amplifikatörleri ve RF uygulamalarında uygulanabilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bileşen, 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilir ve 180 minimum DC current gain (hFE) karakteristiğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 35mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok