Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR513P5T100
NPN 50V 1A MEDIUM POWER TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR513P5T100
2SCR513P5T100 Hakkında
2SCR513P5T100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen NPN tipi medium power bipolar junction transistör (BJT) olup, düşük sinyal amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı ile çeşitli kontrol ve sürücü devrelerinde çalışabilir. 180 (minimum) DC akım kazancı, 360MHz transition frekansı ve 350mV saturation gerilimi ile hızlı komutasyon ve düşük güç kaybı sağlar. 500mW maksimum güç tüketimi ve TO-243AA yüzeye monte paketleme, kompakt tasarımlı endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanıma uygundur. 150°C maksimum çalışma sıcaklığında güvenli operasyon gerçekleştirir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 50mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | MPT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 350mV @ 25mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok