Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR512PHZGT100
NPN 2A 30V MEDIUM POWER TRANSIST
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR512
2SCR512PHZGT100 Hakkında
2SCR512PHZGT100, ROHM Semiconductor tarafından üretilen medium power NPN bipolar transistördür. 30V collector-emitter voltaj kapasitesi ve 2A maksimum collector akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 200 minimum DC current gain (hFE) değeri ve 320MHz transition frequency ile orta frekans devrelerinde çalışabilir. 500mW maksimum güç kapasitesi ve 150°C maksimum operating temperature ile endüstriyel ve tüketim elektroniği uygulamalarında, power management, motor kontrolü ve sinyal amplifikasyonu devrelerinde tercih edilir. SOT-89 yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 320MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 35mA, 700mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok