Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SCR502EBHZGTL
2SCR502EBHZG IS A BIPOLAR TRANSI
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-89
- Seri / Aile Numarası
- 2SCR502
2SCR502EBHZGTL Hakkında
2SCR502EBHZGTL, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar transistördür. SC-89 (SOT-490) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 500mA maksimum kolektör akımı ve 30V maksimum Vce(breakdown) gerilimi ile çalışmaktadır. 360MHz transition frequency özelliğine sahip olup, 200 @ 100mA/2V DC current gain (hFE) değerine ulaşmaktadır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 150mW güç tüketebilir. Saturation voltajı 300mV @ 10mA/200mA olarak belirlenmiştir. Düşük güç tüketimi ve kompakt boyutuyla, rf uygulamaları, ses frekansı amplifikasyon devreleri, anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılmaya uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 2V |
| Frequency - Transition | 360MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-89, SOT-490 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | EMT3F (SOT-416FL) |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 30 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok