Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC6142(Q)
MOSFET N-CH
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SC6142
2SC6142(Q) Hakkında
2SC6142(Q), Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 IPak paketinde sunulan bu transistör, maksimum 1.5A kollektör akımı ve 375V collector-emitter breakdown voltajı ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 100mA akımda 100 minimum DC current gain (hFE) değerine sahiptir. 900mV saturation voltajı ile düşük kayıp anahtarlama özellikleri gösterir. 1.1W maksimum güç yönetimi kapasitesi ve 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışma aralığı ile kontrol devreleri, aydınlatma sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Through-hole montaj tipi, hassas uygulamalarda ve endüstriyel elektronik sistemlerinde kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.1 W |
| Supplier Device Package | PW-MOLD2 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 900mV @ 100mA, 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 375 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok