Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC6135,LF
NPN TRANSISTOR VCEO50V IC1A HFE4
- Paket/Kılıf
- 4-SMD
- Seri / Aile Numarası
- 2SC6135
2SC6135,LF Hakkında
2SC6135,LF, Toshiba tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount paket (UFM) ile sunulan bu bileşen, 50V maksimum collector-emitter gerilimi ve 1A maksimum collector akımı kapasitesiyle düşük sinyal güçlendirme ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 400 minimum DC current gain (hFE) değeri ile kontrollü amplifikasyon sağlar. 500mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, özellikle genel amaçlı amplifier ve switch devrelerinde tercih edilir. Düşük 120mV saturation voltajı hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 400 @ 100mA, 2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Leads |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | UFM |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 120mV @ 6mA, 300mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok