Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC6099-E
TRANS NPN 100V 2A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SC6099
2SC6099-E Hakkında
2SC6099-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V maksimum Vce derecelendirmesi ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 300 MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. 800mW maksimum güç tüketimi ve 150°C maksimum işletme sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektroniğinde ses amplifikasyonu, güç anahtarlaması ve RF devrelerinde yer bulur. 300 minimum DC current gain (hFE) ile kararlı amplifikasyon özellikleri sağlar. Düşük 165mV Vce(sat) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Bileşen obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 300 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 165mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok