Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC6097-E

TRANS NPN 60V 3A TP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SC6097

2SC6097-E Hakkında

2SC6097-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, 60V collector-emitter breakdown voltajı ve 3A maksimum collector akımı ile çalışır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 390MHz transition frequency ile orta hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mW maksimum güç yönetimi kapasitesi ile, motor kontrol devreleri, güç anahtarlaması, RF amplifikasyon ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 150°C'ye kadar çalışabilen komponentin 300 minimum DC current gain değeri (100mA, 2V'de), güvenilir amplifikasyon performansı sağlar. Through-hole montajı sayesinde geleneksel PCB tasarımlarında kolaylıkla uygulanabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 3 A
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition 390MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 800 mW
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 135mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok