Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC6026MFVGR,L3F
TRANS NPN 50V 0.15A VESM
- Paket/Kılıf
- SOT-723
- Seri / Aile Numarası
- 2SC6026
2SC6026MFVGR,L3F Hakkında
2SC6026MFVGR,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 50V maksimum Vce breakdown voltajı ve 150mA kolektör akımı ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 60MHz transition frequency ile sinyal anahtarlama ve zayıf sinyal amplifikasyon devrelerinde uygulanabilir. 200 minimum DC current gain (hFE) ve 250mV maksimum saturation voltajı sayesinde dijital lojik devreleri, ses amplifikasyonu, RF ön amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtar uygulamalarında tercih edilir. Yüksek sıcaklık işletim kapasitesi (150°C) ve kompakt SOT-723 yüzey montajı paketi, mobil cihazlar ve miniaturize edilmiş elektronik sistemlerde kullanım için uygun bir çözüm sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 150 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 6V |
| Frequency - Transition | 60MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 150 mW |
| Supplier Device Package | VESM |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok