Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC6026MFV-Y,L3F

NPN TRANSISTOR VCEO50V IC0.15A H

Paket/Kılıf
SOT-723
Seri / Aile Numarası
2SC6026

2SC6026MFV-Y,L3F Hakkında

2SC6026MFV-Y,L3F, Toshiba tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount SOT-723 paketinde sunulan bu transistör, maksimum 50V collector-emitter gerilimi ve 150mA collector akımı ile çalışabilir. 60MHz transition frequency ile sinyallerin amplifikasyonu ve anahtarlama uygulamalarında kullanıma uygundur. Maksimum 150mW güç tüketimi ile düşük güç gereksinim gösteren devrelerde tercih edilir. 120 minimum DC current gain (hFE) değeri ile orta seviye sinyal işleme ve ses frekansı uygulamalarında yer alır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Endüstriyel ve tüketici elektroniklerinde sinyallendirme, amplifikasyon ve kontrol amaçlı kullanılan kompakt bir bileşendir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 150 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition 60MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-723
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package VESM
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok