Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC6017-E
TRANS NPN 50V 10A TP
2SC6017-E Hakkında
2SC6017-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 50V maksimum kolektör-emitter gerilimi ve 10A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamalarına uygundur. 200MHz geçiş frekansı ve 200 (minimum) DC akım kazancı ile anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde kullanılabilir. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel kontrol, motor sürücü ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir. 950mW maksimum güç dağıtımı ve 150°C maksimum çalışma sıcaklığı ile orta güç seviyesindeki tasarımlara uygun özelliklere sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 1A, 2V |
| Frequency - Transition | 200MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 950 mW |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 360mV @ 250mA, 5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok