Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5876U3HZGT106Q
2SC5876U3HZG IS THE HIGH SPEED S
- Üretici
- ROHM Semiconductor
- Paket/Kılıf
- SC-70
- Seri / Aile Numarası
- 2SC5876
2SC5876U3HZGT106Q Hakkında
2SC5876U3HZGT106Q, ROHM Semiconductor tarafından üretilen yüksek hızlı NPN bipolar junction transistördür. SC-70 (SOT-323) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 500mA maksimum kolektör akımı ve 300MHz transition frekansı ile çalışır. 60V maksimum VCE breakdown voltajı ve 200mW güç dağıtma kapasitesi ile RF amplifikatörleri, yüksek frekans uygulamaları ve anahtarlama devrelerinde kullanılır. 120 minimum DC current gain (hFE) ve 300mV saturation voltajı ile hassas amplifikasyon ve hızlı komütasyon gerektiren uygulamalar için uygundur. -55°C ile +150°C operating temperature aralığında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 300MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200 mW |
| Supplier Device Package | UMT3 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 60 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok