Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5707-E
TRANS NPN 50V 8A TP
2SC5707-E Hakkında
2SC5707-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 50V collector-emitter gerilimi ve 8A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1W maksimum güç disipasyonuna sahip olan bileşen, 330MHz transition frequency ile yüksek hızlı anahtarlama işlemlerine uygun performans sunar. Minimum 200 hFE DC akım kazancı, 240mV saturation voltajı ve 100nA collector cutoff akımı sayesinde sağlam anahtarlama karakteristiği gösterir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışan bu transistör, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri ve güç amplifikatörlerinde uygulanır. Dipnot: Bu ürün üretimi durdurulmuştur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 330MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 175mA, 3.5A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok