Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5706-P-TL-E
TRANS NPN 100V 5A
2SC5706-P-TL-E Hakkında
2SC5706-P-TL-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, maksimum 100V collector-emitter gerilimi ve 5A collector akımı ile çalışmaya uygundur. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 200 (minimum) DC akım kazancı ve 400MHz geçiş frekansı karakteristiğine sahiptir. 800mW maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile düşük voltaj sinyal amplifikasyonu, anahtarlama uygulamaları ve elektrik güç yönetimi devrelerinde kullanılır. Maksimum 240mV satürasyon gerilimi, anahtarlama hızını ve verimliliğini optimize eder. Lojik seviye sürücüleri, ses amplifikatörleri ve endüstriyel kontrol devreleri başta olmak üzere çeşitli uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP-FA |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok