Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5706-P-E
TRANS NPN 100V 5A
2SC5706-P-E Hakkında
2SC5706-P-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 5A maksimum collector akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılan bir transistördür. 400MHz geçiş frekansı sayesinde hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 800mW maksimum güç dağıtım kapasitesi ile doğru boyutlandırılan devrelerde verimli çalışır. DC akım kazancı (hFE) 200 minimum seviyesi, güvenilir amplifikasyon ve anahtarlama performansı sağlar. TO-251-3 (IPak) paket tipi, kompakt tasarımlar ve yüksek güç yoğunluğu gerektiren uygulamalar için uygundur. Endüstriyel kontrol sistemleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve voltaj regülatörlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok