Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5706-E
TRANS NPN 50V 5A TP
2SC5706-E Hakkında
2SC5706-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). TO-251-3 Short Leads (IPak) paketlemesi ile sunulan bu bileşen, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 50V collector-emitter gerilimi, 5A collector akımı ve 400MHz geçiş frekansı ile orta güç uygulamalarına uygundur. Maksimum 800mW güç tüketimi ve 150°C çalışma sıcaklığı ile endüstriyel ve tüketici elektronik cihazlarında, DC-DC dönüştürücülerde, motor kontrol devrelerinde ve RF amplifikatörlerinde kullanılabilir. 240mV saturasyon gerilimi ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile verimli anahtar karakteristiği sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800 mW |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 240mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok