Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5658RM3T5G
TRANS NPN 50V 100MA SOT723
2SC5658RM3T5G Hakkında
2SC5658RM3T5G, onsemi tarafından üretilen bir NPN bipolar junction transistör (BJT) olup, Surface Mount teknolojisinde SOT-723 paket formatında sunulmaktadır. Maksimum 50V kolektor-emitter gerilimi ve 100mA kollektör akımı ile çalışabilen bu transistör, 180MHz transition frequency değeri ile yüksek hız gerekli uygulamalarda kullanılabilir. Maksimum 260mW güç tüketim kapasitesi ile düşük güçlü sinyal işleme, amplifikasyon ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 400mV saturasyon gerilimi ve 215 minimum DC akım kazancı (hFE) ile geniş bir uygulama alanına sahiptir. Mobil cihazlar, ses işleme, RF uygulamaları ve genel amaçlı elektronik devrelerde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 215 @ 1mA, 6V |
| Frequency - Transition | 180MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-723 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 260 mW |
| Supplier Device Package | SOT-723 |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 5mA, 60mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok