Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

2SC5606-A

RF TRANS NPN 3.3V 21GHZ SOT523

Paket/Kılıf
SOT-523
Seri / Aile Numarası
2SC5606

2SC5606-A Hakkında

2SC5606-A, CEL tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. 21GHz transition frequency ve 3.3V collector-emitter breakdown voltage ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. SOT-523 surface mount paketinde sunulan bu transistör, 35mA maksimum collector akımı ve 1.2dB gürültü figürü (2GHz'de) karakteristikleriyle sahip olup, düşük gürültü amplifikatör (LNA), RF ön uç devreleri ve yüksek frekans sinyal işleme uygulamalarında tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında 115mW güç tüketebilir. Compact paketi ve RF performansı nedeniyle mobil iletişim, uydu haberleşme ve yüksek frekans ölçüm ekipmanlarında kullanım alanı bulmuştur. Komponentin şu anda üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, yerine yeni RF transistörleri kullanılması tavsiye edilmektedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 35mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 2V
Frequency - Transition 21GHz
Gain 12.5dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.2dB @ 2GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case SOT-523
Part Status Obsolete
Power - Max 115mW
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3.3V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok