Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5566-TD-E
TRANS NPN 50V 4A PCP
2SC5566-TD-E Hakkında
2SC5566-TD-E, onsemi tarafından üretilen yüksek frekanslı NPN bipolar junction transistördür. 50V kollektör-emitter gerilimi ve 4A maksimum kollektör akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 400MHz transition frequency ile RF ve switching uygulamalarına uygundur. 1.3W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile audio amplifikasyon, RF ön aşaması, anahtarlama devreler ve sinyali kuvvetlendirme uygulamalarında tercih edilir. TO-243AA yüzey montaj paketinde sunulan komponent, 150°C maksimum işletme sıcaklığında çalışır. 225mV satürasyon gerilimi ve 200 minimum DC akım kazancı ile verimli anahtarlama performansı sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 4 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 500mA, 2V |
| Frequency - Transition | 400MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1.3 W |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 225mV @ 100mA, 2A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok