Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC5415AE-TD-E
RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC5415AE
2SC5415AE-TD-E Hakkında
2SC5415AE-TD-E, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN bipolar junction transistörüdür. TO-243AA PCP paketinde sunulan bu transistör, 6.7GHz transition frequency ile RF ve microwave uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 12V maksimum collector-emitter gerilimi ve 100mA maksimum collector akımı ile çalışan bileşen, 1.1dB gürültü figürüne sahiptir. 90 minimum DC akım kazancı (hFE) ile 9dB kazanç sağlayan transistör, düşük sinyalli RF amplifikasyon, osilatör ve switching uygulamalarında yer alır. 800mW maksimum güç dissipasyonu ve 150°C işletme sıcaklığı toleransı ile endüstriyel RF haberleşme, gürültü düşük amplifikasyon ve yüksek frekans miksör devrelerinde tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
| Frequency - Transition | 6.7GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 800mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok