Transistörler - Bipolar (BJT) - RF

2SC5227A-5-TB-E

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SC5227A

2SC5227A-5-TB-E Hakkında

2SC5227A-5-TB-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi RF transistörüdür. TO-236-3 (SOT-23-3) SMD paketinde sunulan bu bileşen, 7GHz transition frequency ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 10V collector-emitter breakdown voltajı ve maksimum 70mA collector akımı ile VHF ve UHF frekans bantlarında sinyal amplifikasyonu sağlar. 1dB gürültü figürü ve 12dB kazanç özellikleri ile düşük gürültü RF amplifikatör devrelerinde, ön amplifikatörlerde ve alıcı devreleri uygulamalarında tercih edilir. 200mW maksimum güç tüketimi, 135 minimum DC akım kazancı (hFE) ve 150°C çalışma sıcaklığı aralığı endüstriyel ve profesyonel RF haberleşme sistemlerinde etkin performans sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 70mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 135 @ 20mA, 5V
Frequency - Transition 7GHz
Gain 12dB
Mounting Type Surface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 200mW
Supplier Device Package 3-CP
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok