Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC5227A-4-TB-E
RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3CP
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC5227A
2SC5227A-4-TB-E Hakkında
2SC5227A-4-TB-E, onsemi tarafından üretilen yüksek frekans NPN RF transistörüdür. 7GHz transition frekansı ile ultraviyole ve mikro dalgalı haberleşme uygulamalarında kullanılmaya tasarlanmıştır. 70mA maksimum kollektör akımı ve 200mW güç dissipasyonu kapasitesi ile RF amplifikatör ve karıştırıcı (mixer) devrelerinde çalışır. 1dB gürültü figürü ve 12dB kazanç özelliği ile alıcı ve verici ön kademelerinde uygulanabilir. 10V kollektör-emitter diyelectric kuvveti ve 90 minimum DC akım kazancı (hFE) stabil işletim sağlar. Surface Mount TO-236-3 (SOT-23-3) paket tipi sayesinde yoğun PCB tasarımlarında kullanıma uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunması nedeniyle endüstriyel ve askeri RF uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 70mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 90 @ 20mA, 5V |
| Frequency - Transition | 7GHz |
| Gain | 12dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | 3-CP |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok