Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC5201,T6MURAF(J
TRANS NPN 50MA 600V TO226-3
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC5201
2SC5201,T6MURAF(J Hakkında
2SC5201, Toshiba tarafından üretilen NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-226-3 (TO-92 Long Body) paketlemede sunulan bu komponent, 600V collector-emitter breakdown voltajına ve 50mA maksimum collector akımına sahiptir. 900mW güç yeteneği ile orta seviye uygulamalar için tasarlanmıştır. 100 minimum DC current gain (hFE @ 20mA, 5V) ve 1V maksimum saturation voltajı ile belirlenmiştir. -55°C ile +150°C işletme sıcaklığı aralığında çalışabilir. Yüksek voltaj amplifikasyon, anahtarlama ve genel sinyal işleme devrelerinde kullanılır. Through-hole montaj tipi ile klasik PCB tasarımlarında yerleştirilir. Parça obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 20mA, 5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 Long Body |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 900 mW |
| Supplier Device Package | TO-92MOD |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 500mA, 20mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok