Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC4135T-E

TRANS NPN 100V 2A TP

Paket/Kılıf
IPAK
Seri / Aile Numarası
2SC4135

2SC4135T-E Hakkında

2SC4135T-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde bipolar junction transistör (BJT) olup, güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 100V kesme voltajı ve 2A maksimum kolektör akımı ile orta güç seviyesindeki devrelerde kullanılma uygunluğu sağlar. 120MHz transition frequency ile hız gerektiren devrelerde kullanılabilir. TO-251-3 (IPak) kasa tipiyle To-hole montajı destekler. 1W maksimum güç tüketimi ve 150°C işletme sıcaklığı aralığı ile amplifikatör, anahtar ve komutasyon uygulamalarında çalışır. 200 minimum hFE değeri ile sürücü devre tasarımlarında güvenilir çalışma sağlar. Ürün üretimi durdurulmuş (obsolete) olup, stok tükendiğinde yerine geçer alternatif bulunması gerekebilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 2 A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition 120MHz
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Part Status Obsolete
Power - Max 1 W
Supplier Device Package TP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok