Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC4135S-E
TRANS NPN 100V 2A TP
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- IPAK
- Seri / Aile Numarası
- 2SC4135S
2SC4135S-E Hakkında
2SC4135S-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistör (BJT) olup, 100V maksimum collector-emitter gerilimi ve 2A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-251-3 (IPak) paketinde sunulan bu transistör, 120MHz transition frequency ve 140 minimum DC current gain (hFE) değerleriyle ses frekansı ve düşük frekansı RF uygulamalarında yer alabilir. 1W maksimum güç dissipasyonu ve 150°C çalışma sıcaklığı ile, anahtarlama devreleri, amplifikasyon uygulamaları ve güç yönetimi devrelerinde tercih edilir. Through-hole montajı sayesinde klasik PCB tasarımlarında kullanıma uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 1 W |
| Supplier Device Package | TP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 100mA, 1A |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok