Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC3651-TD-E

2SC3651 - NPN EPITAXIAL PLANAR S

Paket/Kılıf
TO-243AA
Seri / Aile Numarası
2SC3651

2SC3651-TD-E Hakkında

2SC3651, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial planar bipolar junction transistördür. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, maksimum 200mA kolektör akımı ve 100V kolektör-emitter breakdown voltajı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 150MHz transition frequency ve 500mW maksimum güç derecelendirmesi ile anahtarlama ve küçük sinyal amplifikasyon devrelerinde yer alır. Minimum 500 hFE DC akım kazancı (10mA, 5V şartlarında) ve 500mV saturasyon voltajı, düşük seviyeli lojik kontrol devrelerinde, motor sürücülerinde ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 200mA
Part Status Active
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 500 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition 150MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-243AA
Power - Max 500mW
Supplier Device Package PCP
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 2mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok