Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3649T-TD-E
TRANS NPN 160V 1.5A PCP
2SC3649T-TD-E Hakkında
2SC3649T-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN bipolar junction transistörüdür. 160V collector-emitter breakdown voltajı ve 1.5A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve 100 @ 100mA, 5V DC current gain özellikleriyle, anahtarlama ve amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. 500mW maksimum güç dissipasyonu ve 450mV saturation voltajı ile, güç yönetimi ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılan bir bileşendir. TO-243AA paket tipi ile surface mount montajına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 1µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 450mV @ 50mA, 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok