Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3646T-TD-E
TRANS NPN 100V 1A PCP
2SC3646T-TD-E Hakkında
2SC3646T-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi BJT transistördür. 100V kolektör-emiter kırılma gerilimi ve 1A maksimum kolektör akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 500mW maksimum güç yayılımı kapasitesine sahiptir. 120MHz transition frequency ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. 100 @ 100mA, 5V DC current gain (hFE) değerine sahiptir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu transistör, 150°C'ye kadar çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Genel amaçlı anahtarlama devreleri, güç amplifikatörleri, motor sürücüleri ve ses frekansı amplifikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük ICBO (100nA) kollektör cutoff akımı ve 400mV saturation gerilimi uygulamada verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok