Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3646T-P-TD-E
TRANS NPN 100V 1A
2SC3646T-P-TD-E Hakkında
2SC3646T-P-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür. 100V kolektör-emitter gerilimi, 1A maksimum kolektör akımı ve 500mW güç sınırlamasına sahip bu transistör, orta-frekans uygulamalarında kullanılır. 120MHz transition frequency ve 200 minimum DC akım kazancı (hFE) ile özellikle anahtarlama ve sinyal amplifikasyon devrelerinde tercih edilir. Surface mount TO-243AA paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında genel amaçlı NPN transistör olarak konumlandırılmıştır. Düşük ICBO (100nA) ve belirli saturation voltajı (400mV) özellikleriyle hassas uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok