Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3646S-TD-E
TRANS NPN 100V 1A PCP
2SC3646S-TD-E Hakkında
2SC3646S-TD-E, onsemi tarafından üretilen NPN tipi bipolar junction transistördür (BJT). Surface mount teknolojisine uygun PCP (TO-243AA) paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 100V kolektör-emitter gerilimi ve 1A kolektör akımı ile çalışabilir. 500mW güç dissipasyonu kapasitesine sahip transistör, 100 minimum DC akım kazancı (hFE) ile entegre devrelerde, sinyal işleme uygulamalarında ve düşük gücün anahtarlama görevlerinde kullanılır. 120MHz transition frekansı ile frekans uygulamalarında da tercih edilebilir. Maksimum 150°C işletme sıcaklığında güvenli çalışır ve entegre devrelerde genleme, amplifikasyon ve anahtarlama işlevlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok