Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3646S-P-TD-E
TRANS NPN 100V 1A
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-243AA
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3646
2SC3646S-P-TD-E Hakkında
2SC3646S-P-TD-E, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar junction transistördür. TO-243AA paketinde surface mount olarak sunulan bu komponent, 100V collector-emitter breakdown voltajı ve 1A maksimum collector akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 500mW güç dağıtım kapasitesi, 120MHz geçiş frekansı ve 140 minimum DC akım kazancı (hFE @ 100mA, 5V) sayesinde genel amaçlı anahtarlama, amplifikasyon ve sinyal işleme devrelerinde tercih edilir. 400mV saturation voltajı ile düşük güç kaybında çalışır. Endüstriyel, tüketici elektronikleri ve telekomünikasyon uygulamalarında yaygın olarak kullanılan güvenilir bir transistördür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 1 A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-243AA |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 500 mW |
| Supplier Device Package | PCP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 40mA, 400mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok