Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC3585-T1B-A
NPN TRANSISTOR
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3585
2SC3585-T1B-A Hakkında
2SC3585-T1B-A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN bipolar transistördür. RF uygulamalarına özgü olarak tasarlanmış bu komponent, 10GHz transition frequency ve 1.8dB (2GHz'de) noise figure ile karakterize edilir. Maximum 35mA collector akımı, 9dB kazanç ve 200mW maksimum güç tüketimine sahiptir. 10V collector-emitter breakdown voltajı ile çalışır. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) pakette sunulan bu transistör, yüksek frekanslı haberleşme cihazları, RF amplifikasyon devreleri ve sinyal işleme uygulamalarında kullanılır. 150°C junction sıcaklığına kadar çalışabilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok