Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC3585-T1B-A
RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3585
2SC3585-T1B-A Hakkında
2SC3585-T1B-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF bipolar junction transistördür. 10V maksimum collector-emitter gerilimi ve 10GHz transition frequency ile RF amplifier uygulamalarında kullanılır. 35mA maksimum collector akımı, 1.8dB noise figure (2GHz'de) ve 9dB kazanç özelliklerine sahiptir. 2GHz ile 10GHz arasında çalışan düşük gürültülü amplifier, osilator ve switch uygulamalarında tercih edilir. Surface mount SOT-23-3 paketinde sunulan bu transistör, haberleşme, kablosuz ve test ekipmanlarında yaygın olarak kullanılmıştır. 150°C maksimum junction sıcaklığında 200mW güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 35mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 6V |
| Frequency - Transition | 10GHz |
| Gain | 9dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.8dB @ 2GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok