Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC3583-T1B-A
RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3583
2SC3583-T1B-A Hakkında
2SC3583-T1B-A, California Eastern Laboratories tarafından üretilen NPN tipi RF transistördür. 9GHz transition frequency ve 13dB kazançla yüksek frekans uygulamalarında kullanılır. Maksimum 65mA kollektör akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW maksimum güç disipasyonuna sahiptir. 1.2dB gürültü figürü ile 1GHz'de çalışan alıcı devrelerinde tercih edilir. Surface mount TO-236-3 (SOT-23-3) paketinde sunulmaktadır. RF amplifikatör, LNA (Low Noise Amplifier) ve frekans karıştırıcı uygulamalarında kullanılmaya uygun bu komponentin operating temperature aralığı -150°C'ye kadar uzanır. Kullanımı üretici tarafından durdurulmuş durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok