Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
2SC3583-T1B-A
2SC3583 - MD
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - Bipolar (BJT) - RF
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3583
2SC3583-T1B-A Hakkında
2SC3583-T1B-A, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN tipinde RF transistörüdür. Surface mount SOT-23-3 (TO-236) paketinde sunulan bu komponent, yüksek frekans uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 9GHz transition frequency ve 13dB kazanç özelliğiyle, 1.2dB noise figure değeri sayesinde düşük gürültü RF ön uç devrelerinde ve sinyal güçlendirme uygulamalarında yer alır. Maksimum 65mA collector akımı, 10V collector-emitter breakdown voltajı ve 200mW maksimum güç disipasyonu kapasitesiyle, VHF/UHF bant RF amplifikatörleri, LNA (Low Noise Amplifier) tasarımları ve mobil haberleşme sistemlerinde tercih edilir. 150°C maksimum junction sıcaklığında çalışabilen komponent, endüstriyel ve profesyonel RF uygulamalarına uygun performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 65mA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 8V |
| Frequency - Transition | 9GHz |
| Gain | 13dB |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Obsolete |
| Power - Max | 200mW |
| Supplier Device Package | SOT23-3 (TO-236) |
| Transistor Type | NPN |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 10V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok