Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil
2SC3332S-AA-SA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-226-3
- Seri / Aile Numarası
- 2SC3332
2SC3332S-AA-SA Hakkında
2SC3332S-AA-SA, Rochester Electronics tarafından üretilen NPN epitaxial planar silicon transistördür. Maksimum 700mA kollektör akımı ve 160V VCE(BR)O kırılma gerilimi ile orta güç uygulamalarında kullanılan genel amaçlı BJT transistördür. 120MHz transition frequency ile RF ve anahtarlama devrelerinde çalışmaya uygundur. TO-92 plastik DİP paketinde sunulan bu komponent, 700mW güç dağıtımı kapasitesine ve 140 minimum DC akım kazancına sahiptir. Saturasyon gerilimi 400mV (250mA, 25mA) olması dikkat çekici bir özelliktir. -55°C ile +150°C aralığında çalışabilir. Ses amplifikatörleri, motor kontrol devreleri, anahtarlama güç kaynakları ve genel sinyal işleme uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Collector (Ic) (Max) | 700 mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 5V |
| Frequency - Transition | 120MHz |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Part Status | Active |
| Power - Max | 700 mW |
| Supplier Device Package | 3-NP |
| Transistor Type | NPN |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 400mV @ 25mA, 250mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160 V |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok