Transistörler - Bipolar (BJT) - Tekil

2SC3326-B,LF

TRANS NPN 20V 0.3A S-MINI

Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
2SC3326

2SC3326-B,LF Hakkında

2SC3326-B,LF, Toshiba tarafından üretilen bir NPN tip bipolar junction transistördür (BJT). TO-236-3 (SOT-23-3) surface mount paketinde sunulan bu transistör, düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için tasarlanmıştır. 300mA maksimum kolektör akımı, 20V maksimum Vce breakdown voltajı ve 150mW güç yönetimi kapasitesi ile küçük sinyallerin işlenmesinde kullanılır. 30MHz transition frequency sayesinde orta frekanslı uygulamalara uygundur. Ses amplifikatörleri, RF devreler, anahtarlama uygulamaları ve gömülü sistem tasarımlarında sıkça tercih edilir. DC current gain (hFE) minimum 350 değeriyle kararlı çalışma sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Collector (Ic) (Max) 300 mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition 30MHz
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 125°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power - Max 150 mW
Supplier Device Package TO-236
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 20 V

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok